个人信息:
电子邮箱：liwenwu@fudan.edu.cn
办公地址：复旦大学(江湾校区)交叉一楼B座4015室
通信地址：上海市淞沪路2005号复旦大学光电研究院；邮编：200433
教育背景和工作经历:
2021年8月-至今， 复旦大学 光电研究院，研究员，博士生导师
2014年10月-2021年7月，华东师范大学，研究员，博士生导师
2013年7月-2014年9月， 中国南方电网公司广西电力科学研究院，研发工程师
2012年6月-2013年6月， 日本国家材料科学研究院 (National Institute for Materials Science, Japan)，博士后
2007年9月-2012年6月， 华东师范大学，硕博连读，专业：微电子学与固体电子学，导师：褚君浩 院士
主要研究领域：
(1) 面向集成电路应用的先进晶体管器件
(2) 铁电材料与器件物理
招生专业：
博士研究生(学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息)：本科直博、硕博连读、四年制博士
硕士研究生(学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息)：学制三年
欢迎有志于在以上方向从事科学研究的博士生和硕士生联系报考！
研究方向偏微电子和集成电路，报考前请务必致信：liwenwu@fudan.edu.cn
已毕业研究生主要去向为高校和集成电路行业，包括：高校(6人)、华为(2人)、中芯国际(1人)、上海集成电路研发中心(1人)、AMD公司(2人)、SanDisk公司(2人)、ARM公司(1人)、长鑫存储(1人)
特别欢迎博士后、助理教授、预聘副教授加入课题组！
一、面向集成电路应用的先进晶体管器件、铁电材料与器件物理
晶圆级柔性薄膜晶体管和集成阵列
晶体管器件仿真和逻辑电路
学术成果:
主要研究领域包括面向集成电路应用的先进晶体管器件、铁电材料与器件物理。近年来，参与了国家重点研发计划等十余项课题研究。主持了国家自然科学基金面上项目(2项)、联合基金、青年基金等12个项目。迄今共发表第一或通讯作者论文88篇，包括Science, Science Advances (2篇), Nature Communications (7篇), 微电子器件著名期刊IEEE Electron Device Letters (4篇), IEEE Transactions on Electron Devices (8篇)和Advanced Materials (4篇), ACS Nano/Nano Letters (4篇),Advanced Functional Materials (7篇)。在晶体管结构设计、测试建模、制造工艺等领域已申请国家发明专利28 项，近5 年获授权发明专利19 项，获软件著作权3 项。曾获上海市自然科学二等奖(3/5)、入选上海市青年拔尖人才计划、获得中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛全国总决赛金奖(指导教师)。
以第一或者通讯作者发表的代表性论文(15篇):
1. Developing Fatigue-Resistant Ferroelectrics using Interlayer Sliding Switching, Science, 385, 57-62 (2024).
2. Emergence of Ferroelectricity in Sn-based Perovskite Semiconductor Films by Iminazole Molecular Reconfiguration, Nature Communications, 16, 365 (2025).
3. Tailoring Tin-based Perovskite Crystallization via Large Cations and Pseudo-Halide Anions for High Mobility and High Stable Transistors, Science Advances, (in press 2025).
4. Configurable Kinetics of Polarization Switching via Ion Migration in Ferroionic CuInP2S6, Nature Communications, 16, 4462 (2025).
5. Hidden Structural Phase Transition Assisted Ferroelectric Domain Orientation Engineering in Hf0.5Zr0.5O2 Films, Nature Communications, 16, 4232 (2025).
6. Observation and Manipulation of Two-Dimensional Topological Polar Texture Confined in Moiré Interface, Nature Communications, 16, 3026 (2025).
7. Silicon–van der Waals Heterointegration for CMOS-Compatible Logic-in-Memory Design, Science Advances, 9, eadk1597 (2023).
8. Programmable Ferroelectric Bionic Vision Hardware with Selective Attention for High-Precision Image Classification, Nature Communications, 13, 7019 (2022).
9. Oxidation-Bootsted Charge Trapping in Ultra-Sensitive van der Waals Materials for Artificial Synaptic Features, Nature Communications, 11, 2972 (2020).
10. Selenium Interface Layers Boost High Mobility and Switch Ratios in van der Waals Electronics, Nano Letters, 25, 655 (2025).
11. Ferroelectric Perovskite/MoS2 Channel Heterojunctions for Wide-Window Nonvolatile Memory and Neuromorphic
Computing, Advanced Materials, 37, 2414339 (2025).
12. High-Performance Tin-Halide Perovskite Transistors Enabled by Multiple A-Cation Engineering. Advanced Functional Materials, 34, 2403917 (2024).
13. Multi-Factor Modulated Organic Bulk Heterojunction Synaptic Transistor Enabled by Ligand Engineering for Centrosymmetric In-Sensor Computing, Advanced Functional Materials, 34, 2314980 (2024).
14. The Integration of Two-Dimensional Materials and Ferroelectrics for Device Applications, ACS Nano, 18, 1778 (2024).
15. Ultralow Off-State Current and Multilevel Resistance State in Van der Waals Heterostructure Memristors, Advanced Functional Materials, 34, 2309642 (2024).
代表性科研项目:
1. 国家自然科学基金-面上项目(62374043)：二维硫族化合物晶体管的电荷注入和输运机理研究，项目负责人。
2. 国家自然科学基金-面上项目(61774061)：基于肖特基结的低功耗与高增益聚合物晶体管及其集成电路应用研究，项目负责人。
3.国家自然科学基金-联合基金(U1830130): 多价态金属氧化物混合相光学常数、相变规律和能带结构的光谱研究，项目负责人。
4.国家自然科学基金-青年科学基金(61504043): 二维过渡金属硫化物的光电子特性及其外场调控，项目负责人。
5. 上海市基础研究特区计划(25TQ001): 基于声表面波技术的二维铁电材料多维度探测与调控，项目负责人。
6.上海市自然科学基金-探索类项目(19ZR1473400)：基于范德华异质集成的二维隧穿电子器件，项目负责人。
代表性授权发明专利：
1．一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法，授权专利号：ZL202011163303.7
2. 一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法，授权专利号：ZL201910481510.8
3. 基于三氧化钼接触掺杂的p型有机薄膜晶体管及制备方法，授权专利号：ZL202110370278.8
4．一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法，授权专利号：ZL201910401316.4
5．一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法，授权专利号：ZL201910264205.3
6．一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，授权专利号：ZL201910014131.8
7．一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法，授权专利号：ZL201810410340.X
8. 一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法，授权专利号：ZL201810754806.8
9. 一种掩膜版与样品的贴合及分离装置，授权专利号：ZL201710196782.4
10. 一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口，授权专利号：ZL201710358616.X
软件著作权:
1. 二维半导体晶体管电学性能模型软件
2. 有机晶体管电学性能分析软件
荣誉和奖励:
1. 2022年度上海市青年拔尖人才计划
2. 2021年中国国际互联网+大学生创新创业大赛全国总决赛金奖 (指导教师)
3. 2015年上海市自然科学二等奖(3/5)
4. 2014年上海市优秀博士学位论文奖
学术和社会兼职：
1. Microelectronic Engineering期刊，编辑(Editor)
2. Materials Science and Engineering B期刊，编辑(Editor)
3.Materials Today Electronics期刊，顾问编委(Advisory Editorial Board)
4.第16-17届IEEE国际固态和集成电路技术会议，技术委员会委员
5.第18届国际薄膜晶体管会议，技术委员会委员
6.第十二届上海市青联委员
