10月28 日- 29日，杭州未来科技城联合《麻省理工科技评论》共同举办世界科技青年论坛，新一届亚太区“35岁以下科技创新35 人”也在本论坛上重磅揭晓。
2010年，“35 岁以下科技创新 35人”首次进行区域性评选，一跃成为亚太、欧洲以及拉丁美洲等多个国家和地区科技青年群体的重要标尺。2021年，“35岁以下科技创新35人”亚太区正式落地中国，旨在为极具发展潜质的青年科技人才提供多元化的国际发展平台，让引进来和走出去的亚太科技成果再添新章。经过近一年的严格评审以及全球 40 余位顶级科学和技术领袖的全程参与，35位在各自领域获得突破性进展或示范性成果的青年科技人才代表入榜，我院青年研究员宋恩名名列其中。
他以崭新思路来克服植入式柔性电子系统在脑机接口应用的相关技术难题，实现柔性高密度全脑维度的放大微电极阵列，为未来高性能生物神经接口电子系统做出突破性贡献。
近年来，各类面向脑内电子移植的创新型器件发展迅猛。然而，目前的脑机接口技术存在刚性结构与信号采集面积、分辨率不足的局限。
宋恩名对此创新了纳米薄膜的半导体器件柔性转移技术，建立了基于数以万计硅纳米薄膜晶体管的全脑尺寸和密度可控的皮层脑电前放电极阵列。该技术可应用到实时监测脑电信号成像（如猴、幼鼠等），预计可面向相关脑疾病的诊断与治疗（如癫痫）。
植入式柔性电子封装失效同样会带来严重问题，传统封装材料因其力学性能与柔软的脑组织不匹配容易造成脑损伤。目前，国际大多数植入式柔性电子设备在人体内的寿命有限，脑脊髓液渗透还会导致电流泄露。因此研发性能稳定的超薄封装材料的需求尤为迫切。宋恩名对此开发了基于热氧化SiO2的纳米封装材料，使得能够进行皮层脑电图成像的植入式器件能够稳定工作数年之久同时植入器件。
另外，针对传统电极材料功能与稳定性的瓶颈问题，宋恩名还提出了基于高密度重掺硅薄膜电极阵列的生物兼容性脑电信号成像，实现了信号放大与刺激并存的低干扰脑机接口系统。
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