吴 凡
电子邮箱：wu_fan@fudan.edu.cn
办公地址：复旦大学(江湾校区)湾谷科技园D2座
通信地址：上海市淞沪路2005号复旦大学光电研究院；邮编：200433
教育背景和工作经历:
2025年8月-至今，复旦大学光电研究院，助理教授A（研究员），博士生导师
2023年7月-2025年7月，清华大学集成电路学院，博士后，助理研究员
2018年9月-2023年6月，清华大学集成电路学院，直博，专业：微电子学与固体电子学
主要研究领域：
(1)“More Moore” 面向先进节点的小尺寸新型材料晶体管及集成电路
(2)“Beyond CMOS” 基于新型材料的可重构及存算一体器件及集成电路
招生专业：
博士研究生（学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息）：本科直博、硕博连读、四年制博士
硕士研究生（学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息）：学制三年
欢迎有志于在以上方向从事科学研究的博士生和硕士生联系报考！
研究方向偏微电子和集成电路，报考前请务必致信：wu_fan@fudan.edu.cn
课题组长期招收具有材料生长、微纳加工和集成电路设计等相关背景的博士后，并欢迎报考硕士和博士研究生！
学术成果:
主要研究领域包括“More Moore” 面向先进节点的小尺寸新型材料晶体管及集成电路、“Beyond CMOS” 基于新型材料的可重构及存算一体器件及集成电路。近年来，多次以技术骨干参与重要国家级项目。主持国家自然科学基金青年项目(在研)。迄今共参与发表论文36篇，其中以第一作者/共同第一作者发表论文11篇，包括Nature, Nature Communications (2篇), 微电子器件著名期刊IEEE Transactions on Electron Devices (2篇)和, ACS Nano/ACS Applied Materials & Interfaces (2篇)，总被引>1900次，h指数18。研究成果入选Chip 2022中国芯片科学十大进展、2022中国半导体十大研究进展、2022中国国内十大科技新闻。在晶体管结构设计、制造工艺、测试方案等领域已授权发明专利5项。
代表性论文（第一作者/共同第一作者）：
1. Wu F*, Tian H*, Shen Y*, et al. Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths. Nature, 2022, 603(7900): 259-264. (WOS Top 0.1% 高被引论文)
2. Pan J*, Wu F*, Qian K*, et al. Adaptive spatial-temporal information processing based on in-memory attention-inspired devices. Nature Communications, 2025, 16(1): 7449.
3. Liu Y*, Tian H*, Wu F*, et al. Cellular automata imbedded memristor-based recirculated logic in-memory computing. Nature Communications, 2023, 14(1): 2695.
4. Pan J*, Wu F*, Wang Z, et al. Multibarrier collaborative modulation devices with ultra-high logic operation density. ACS nano, 2024, 18(41): 28189-28197.
5. Wu F*, Tian H*, Yan Z*, et al. Gate-tunable negative differential resistance behaviors in a hBN-encapsulated BP-MoS2 heterojunction. ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 13(22): 26161-26169.
6. Wu F*, Ren J*, Yang Y*, et al. A 10 nm short channel MoS2 transistor without the resolution requirement of photolithography. Advanced Electronic Materials, 2021, 7(12): 2100543.
7. Wu F*, Tian H*, Shen Y*, et al. High thermal conductivity 2D materials: From theory and engineering to applications. Advanced Materials Interfaces, 2022, 9(21): 2200409.
8. Wu F*, Tian H*, Yan Z*, et al. Transistor subthreshold swing lowered by 2-D heterostructures. IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 68(1): 411-414.
9. Chen J*, Wu F*, Li P, et al. The α-In2Se3 THz Photodetector. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(8): 4371-4376.
10. Wu F, Tian H. Novel Perovskite-Based Devices. 2019 IEEE International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale (3M-NANO). IEEE, 2019: 98-101.
11. Deng N*, Tian H*, Wu F*, et al. Graphene muscle with artificial intelligence. 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2020: 1-4.
已授权专利：
1.一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006196.4
2.一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，授权专利号：ZL201811145553.0
3.一种用于模拟生物体光突触的方法及器件，授权专利号：ZL201811248267.7
4.基于二维薄膜的超抖亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法，授权专利号：ZL201810290740.1
5.自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006920.3
主要荣誉：
清华大学学术新秀（2022）
中国电子学会优秀博士毕业论文激励计划（2023）
清华大学水木学者（2023）
北京市优秀博士毕业论文（2024）
国家资助博士后研究人员计划B档资助（2024）
