吴 凡
电子邮箱：wu_fan@fudan.edu.cn
办公地址：复旦大学(江湾校区)，湾谷科技园D2-409
通信地址：上海市淞沪路2005号复旦大学光电研究院；邮编：200433
教育背景和工作经历:
2025年08月-至今，复旦大学光电研究院，助理教授A (研究员)，博士生导师
2023年07月-2025年07月，清华大学集成电路学院，博士后/助理研究员
2018年09月-2023年06月，清华大学集成电路学院，直博
主要研究领域：
(1) 极限尺寸晶体管与新型铁电存储器
(2) 面向集成电路先进制程的存算一体器件与芯片
招生专业：
博士研究生 (学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息) ：本科直博、四年制博士
硕士研究生 (学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息) ：学制三年
欢迎有志于在以上方向从事科学研究的博士生和硕士生联系报考！
研究方向偏微电子和集成电路，报考前请务必致信：wu_fan@fudan.edu.cn
课题组长期招收具有材料生长、微纳加工和集成电路设计等相关背景的博士后！
个人简介：
研究围绕集成电路中新型铁电存储器、极限尺寸晶体管、存算一体器件与芯片展开。双聘于KJW主管的上海芯源创新中心任项目主管，负责某重大专项子任务课题。主持国家自然科学基金区域创新发展联合基金子课题、青年项目C类，多项国家重点实验室开放课题基金，入选复旦大学荣富青年学者。迄今共参与发表论文44篇，其中以第一作者/共同第一作者发表论文13篇，包括Nature, Nature Physics, Nature Communications (3篇),国际电子器件大会IEDM, 微电子著名期刊IEEE Transactions on Electron Devices (2篇)和Microelectronic Engineering，总被引>2100次，h指数21。研究成果入选Chip中国芯片科学十大进展、中国半导体十大研究进展、中国国内十大科技新闻。在晶体管结构设计、制造工艺、测试方案等领域已公开发明专利11项，已授权发明专利6项。担任NSR Interface期刊编委，以及Nature Electronics, Nature Communications等国际顶尖期刊审稿人。
代表性论文（第一作者/共同第一作者）：
1. Wu F†, Tian H†,*, Shen Y†, Hou Z, Ren J, Gou GY, Sun YB, Yang Y, Ren TL*. Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths. Nature, 2022, 603(7900): 259-264.
2. Tian H†,*, Hou Z†, Wu F†, Jiang JW†, Wu DX†, Shen Y, Xu TY, Xue XY, Wang ZM*, Guo H*, Ren TL*. Reconfigurable and multifunctional circuits using Stark effect in black phosphorus. Nature Physics, 2026, Published. DOI: 10.1038/s41567-026-03293-5
3. Luo CL†, Wu F†,*, Chen SX, Chen S, Liu Y, Liu XL, Zhu KC*, Chu JH, Li WW*. A 1013-Cycle Fatigue-Free HZO Ferroelectric Enabled by Oxygen-Gradient Engineering for Reliable Low-Voltage FeFETs. IEDM, 2026, Accepted.
4. Pan J†, Wu F†, Qian K†, Jiang K, Liu YM, Wang ZD, Guo PW, Yin JJ, Yang DG*, Tian H*, Yang Y*, Ren TL*. Adaptive spatial-temporal information processing based on in-memory attention-inspired devices. Nature Communications, 2025, 16(1): 7449.
5. Liu Y†, Tian H†,*, Wu F†, Liu AH, Li YH, Sun H, Mario Lanza, Ren TL*. Cellular automata imbedded memristor-based recirculated logic in-memory computing. Nature Communications, 2023, 14(1): 2695.
6. Wang Z†, Liu A†, Ding H†, Wu F†, Gao CF†, Guo YZ, Xue RF, Zhang PG, Liu YM, Deng T*, Ren TL*, Tian H*. Wafer-scale 2D MoS2 transistors with self-aligned angstrom gate length and nanometer channel length. Nature Communications, 2026, Published. DOI: 10.1038/s41467-026-75409-7
已授权/已公开专利：
1.一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006196.4
2.一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，授权专利号：ZL201811145553.0
3.一种用于模拟生物体光突触的方法及器件，授权专利号：ZL201811248267.7
4.基于二维薄膜的超抖亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法，授权专利号：ZL201810290740.1
5.自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006920.3
6.一种边缘浮栅晶体管的存算一体方法及组件，授权专利号：ZL202310876683.6
7.一种边缘浮栅晶体管的存储方法，公开号：CN116936641A
8.铁电可重构晶体管及存内计算电路，公开号：CN121692707A
9.静态随机存取存储器，公开号：CN121619853A
10.新型存算一体器件，公开号：CN121619870A
11.贫氧梯度调控的抗疲劳铪基铁电薄膜及其电容器，公开号：CN122641027A
主要荣誉：
复旦大学未来信息创新学院荣富青年学者（2026）
清华大学学术新秀（2022）
中国电子学会优秀博士毕业论文激励计划（2023）
清华大学水木学者（2023）
北京市优秀博士毕业论文（2024）
国家资助博士后研究人员计划B档资助（2024）
