吴 凡
电子邮箱：wu_fan@fudan.edu.cn
办公地址：复旦大学(江湾校区)湾谷科技园D2座
通信地址：上海市淞沪路2005号复旦大学光电研究院；邮编：200433
教育背景和工作经历:
2025年8月-至今，复旦大学光电研究院，助理教授A（研究员），博士生导师
2023年7月-2025年7月，清华大学集成电路学院，博士后，助理研究员
2018年9月-2023年6月，清华大学集成电路学院，直博，专业：微电子学与固体电子学
主要研究领域：
(1)“More Moore” 面向先进节点的小尺寸新型材料晶体管及集成电路
(2)“Beyond CMOS” 基于新型材料的可重构及存算一体器件及集成电路
招生专业：
博士研究生（学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息）：本科直博、硕博连读、四年制博士
硕士研究生（学术型：电子科学与技术；专业型：电子信息）：学制三年
欢迎有志于在以上方向从事科学研究的博士生和硕士生联系报考！
研究方向偏微电子和集成电路，报考前请务必致信：wu_fan@fudan.edu.cn
课题组长期招收具有材料生长、微纳加工和集成电路设计等相关背景的博士后，并欢迎报考硕士和博士研究生！
学术成果:
主要研究领域包括“More Moore” 面向先进节点的小尺寸新型材料晶体管及集成电路、“Beyond CMOS” 基于新型材料的可重构及存算一体器件及集成电路。近年来，多次以技术骨干参与重要国家级项目。主持国家自然科学基金青年项目(在研)，多项国家重点实验室开放课题基金。迄今共参与发表论文36篇，其中以第一作者/共同第一作者发表论文11篇，包括Nature, Nature Physics, Nature Communications (2篇), 微电子器件著名期刊IEEE Transactions on Electron Devices (2篇)和, ACS Nano/ACS Applied Materials & Interfaces (2篇)，总被引>1900次，h指数20。研究成果入选Chip 2022中国芯片科学十大进展、2022中国半导体十大研究进展、2022中国国内十大科技新闻。在晶体管结构设计、制造工艺、测试方案等领域已授权发明专利5项。担任Nature Electronics, Nature Communications, Advanced Materials, Advanced Functional Materials, ACS Nano, Nano Letters等国际顶尖期刊审稿人。
代表性论文（第一作者/共同第一作者）：
1. Wu F†, Tian H†, Shen Y†, et al. Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths. Nature, 2022, 603(7900): 259-264. (WOS Top 0.1% 高被引论文)
2. Tian H†, Hou Z†, Wu F†, et al. Reconfigurable and multifunctional circuits using Stark effect in black phosphorus. Nature Physics, 2026, Accepted.
3. Pan J†, Wu F†, Qian K†, et al. Adaptive spatial-temporal information processing based on in-memory attention-inspired devices. Nature Communications, 2025, 16(1): 7449.
4. Liu Y†, Tian H†, Wu F†, et al. Cellular automata imbedded memristor-based recirculated logic in-memory computing. Nature Communications, 2023, 14(1): 2695.
5. Pan J†, Wu F†, Wang Z, et al. Multibarrier collaborative modulation devices with ultra-high logic operation density. ACS nano, 2024, 18(41): 28189-28197.
6. Wu F†, Tian H†, Yan Z†, et al. Gate-tunable negative differential resistance behaviors in a hBN-encapsulated BP-MoS2 heterojunction. ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 13(22): 26161-26169.
7. Wu F†, Ren J†, Yang Y†, et al. A 10 nm short channel MoS2 transistor without the resolution requirement of photolithography. Advanced Electronic Materials, 2021, 7(12): 2100543.
8. Wu F†, Tian H†, Shen Y†, et al. High thermal conductivity 2D materials: From theory and engineering to applications. Advanced Materials Interfaces, 2022, 9(21): 2200409.
9. Wu F†, Zhu ZQ†, Tian H†, et al. Vertical WSe2/BP/MoS2 heterostructures with tunneling behaviors and photodetection. Applied Physics Letters, 2022, 121(11).
10. Wu F†, Tian H†, Yan Z†, et al. Transistor subthreshold swing lowered by 2-D heterostructures. IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 68(1): 411-414.
11. Chen J†, Wu F†, Li P, et al. The α-In2Se3 THz Photodetector. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(8): 4371-4376.
12. Wu F, Tian H. Novel Perovskite-Based Devices. 2019 IEEE International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale (3M-NANO). IEEE, 2019: 98-101.
13. Deng N†, Tian H†, Wu F†, et al. Graphene muscle with artificial intelligence. 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2020: 1-4.
已授权/已公开专利：
1. 一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006196.4
2. 一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，授权专利号：ZL201811145553.0
3. 一种用于模拟生物体光突触的方法及器件，授权专利号：ZL201811248267.7
4. 基于二维薄膜的超抖亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法，授权专利号：ZL201810290740.1
5. 自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，授权专利号：ZL201911006920.3
6. 一种边缘浮栅晶体管的存算一体方法及组件，申请号：CN202310876683.6
7. 一种边缘浮栅晶体管的存储方法，申请号：CN202310886195.3
8. 铁电可重构晶体管及存内计算电路，申请号：CN202511882699.3
9. 静态随机存取存储器，申请号：CN202511522112.8
10. 新型存算一体器件，申请号：CN202511511343.9
主要荣誉：
清华大学学术新秀（2022）
中国电子学会优秀博士毕业论文激励计划（2023）
清华大学水木学者（2023）
北京市优秀博士毕业论文（2024）
国家资助博士后研究人员计划B档资助（2024）
